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900~1700nm 雪崩式光電探測(cè)器（APD）DC~10MHz （砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb） 銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的APD之外，還提供具有可變?cè)鲆?即M因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/p>

800~1700nm 雪崩式光電探測(cè)器（APD）直徑1.0mm （砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb） 銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的APD之外，還提供具有可變?cè)鲆?即M因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/p>

800~1700nm 雪崩式光電探測(cè)器（APD）直徑 0.05mm （砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb） 銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的APD之外，還提供具有可變?cè)鲆?即M因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/p>

900~1700nm雪崩式光電探測(cè)器（APD） DC~50MHz（砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb） 銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的APD之外，還提供具有可變?cè)鲆?即M因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/p>

InAsSb 紅外光伏探測(cè)器 非冷卻非浸沒(méi) 2.3um TO39 產(chǎn)品總覽 PVA系列是基于InAs1-xSbx合金的非冷卻紅外光伏探測(cè)器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標(biāo)要求