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  • 硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?3mm

    硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?3mm APD 是具有通過施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR),以及快速的時(shí)間響應(yīng)、低暗電流和高靈敏度。光譜響應(yīng)范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內(nèi)。 C12702-12為短波型,有效面積:Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設(shè)計(jì)。

    更新時(shí)間:2025-02-06
    產(chǎn)品型號:
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  • PDA36UV190~ 1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測器

    190~ 1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測器 我們的硅探測器 ,感光范圍覆蓋190nm~1100nm, 常用于紫外 與可見光測量;放大型探測器,8檔可調(diào)增益 ,定量光電轉(zhuǎn)換;動態(tài)范圍寬 ,適用于各種光電開發(fā)場景 ,應(yīng)用廣泛;索雷博THORLABS同款 ,無縫兼容;性能優(yōu)秀 ,高性價(jià)比 ,quan方位技術(shù)支持; 提供非標(biāo)定制服務(wù)。

    更新時(shí)間:2025-07-03
    產(chǎn)品型號:PDA36UV
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  • Si-0.19/1.1um-4.1mm-50M190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測器

    190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測器 筱曉光子的硅基放大光電探測器感光范圍覆蓋190nm~1100nm,可實(shí)現(xiàn)定量光電轉(zhuǎn)換,動態(tài)范圍寬,適用于各種光電開發(fā)場景,性能優(yōu)秀,性價(jià)比高,提供quan方位技術(shù)支持,常應(yīng)用于紫外與可見光測量。

    更新時(shí)間:2025-09-25
    產(chǎn)品型號:Si-0.19/1.1um-4.1mm-50M
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  • PDA12A8B4G-VIS400-1100nm 硅Si光電探測器 帶放大 固定增益(DC-140MHz)

    400-1100nm 硅Si光電探測器 帶放大 固定增益(DC-140MHz) 硅(Si) 硅基光電探測器是一種額定帶寬,固定增益的光電探測器,用于檢測光信號。光信號從光電sensor感應(yīng)面輸入,輸出通過BNC以電壓形式輸出。本產(chǎn)品能測量800nm到1700nm波長范圍的光信號。具體性能參數(shù)數(shù)據(jù)參考附錄表格。LD-PD光電探測器外殼帶有英制1/4“-20螺紋的安裝孔,可以方便的安裝固定。 外殼部分

    更新時(shí)間:2025-08-29
    產(chǎn)品型號:PDA12A8B4G-VIS
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  • BAPD-2G-B-FC/APC400-1100nm Si雪崩平衡探測器 2GHz

    400-1100nm Si雪崩平衡探測器 2GHz Si雪崩平衡探測模塊集成了低噪聲APD探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、 APD 溫度補(bǔ)償;隔離電源供電確保輸出信號不受外部供電電源的影響;APD溫度補(bǔ)償提高探測模塊的穩(wěn)定性。

    更新時(shí)間:2025-08-11
    產(chǎn)品型號:BAPD-2G-B-FC/APC
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