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  • 3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器 2.5-6.5μm HgCdTe

    3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器 2.5-6.5μm HgCdTe PV系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測器,具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時達到它本身能達到的的佳性能。波長分割可根據(jù)需求進行優(yōu)化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應(yīng)速度和動態(tài)范圍的同時提高高頻下的性能,但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲在低頻下可能會降低探測器的性能。

    更新時間:2024-12-05
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  • 10Gbps InGaAs PIN 1x4 Array PD Chip φ50um光電探測器

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    更新時間:2025-11-10
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  • 100Gbaud InGaAs PIN 1×4 Array PD Chip φ10um光電

    100Gbaud InGaAs PIN 1×4 Array PD Chip φ10um光電探測器 InGaAs PIN高速光探測器陣列芯片

    更新時間:2025-11-10
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    2.5Gbps InGaAs APD Chip For OLTOTDR φ50um(光電探測器) InGaAs雪崩光電二極管(APD)芯片

    更新時間:2025-11-11
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  • High-Gain InGaAs SPAD Chip φ30um(探測器)

    High-Gain InGaAs SPAD Chip φ30um(探測器) InGaAs雪崩光電二極管(APD)芯片

    更新時間:2025-11-13
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