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當前位置：首頁產品中心半導體連續激光器VCSEL激光器850nm偏振鎖定單模VCSEL芯片激光器

850nm偏振鎖定單模VCSEL芯片激光器

產品簡介

筱曉(上海)光子技術有限公司,MCT探測器,半導體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測器
850nm偏振鎖定單模VCSEL芯片激光器

產品型號：
更新時間：2024-12-06
廠商性質：經銷商
訪問量：2073
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品牌其他品牌價格區間面議
組成要素半導體激光器產品及設備產地類別進口
應用領域化工,建材/家具,電子/電池

850nm偏振鎖定單模VCSEL芯片激光器 850nm偏振鎖定單模VCSEL芯片激光器

我們的單模VCSEL旨在滿足廣泛的光學傳感應用的嚴格規范。該產品提供偏振穩定的單模發射，具有對稱的高斯光束輪廓，輸出功率通常為1mW。偏置電流范圍為3至6mA。


通用參數

產品特點：

單橫模和單縱模

偏振穩定發射

低功耗

高可靠性

高斯光束分布

背面陰極和頂部陽極配置

通過RoHS認證

 

產品應用：

激光鼠標

光學傳感器應用

光電編碼器

 

光電特性：

操作條件： Top= 5°- 45℃; Iop=const., set at 25℃  so that Pop=0.55mW

 

參數

符號

最小

典型

最大

單位

備注

閾值電流

ITH

1

3

5

mA

T = 25°C

斜率效率

η

0.20

0.40

0.65

mW/mA

T = 25°C, I = Ith+1mA

工作電流

IOP

2.3


6

mA

T = 25°C, Pop=0.55mW

工作電壓

UOP



2.3

V

工作條件

微分電阻

Rd

20


90

?

T = 25°C,   Pop=0.55mW

SM光輸出功率

PSM

0.9



mW

T = 25°C

邊模抑制比

SMSR

10



dB

T = 25°C, Pop=0.9mW

偏振方向的精度

δpo

-15


+15

deg

T = 25°C, Pop=0.2...0.9mW

發射波長

λpeak

840

850

860

nm

工作條件

光束發散性

θFW1/e2

13

17

21

deg

T = 25°C, Pop=0.5mW

光功率隨溫度的變化

P(T) – Pop

-200


+120

µW

Iop, T=5...45°C

SM=單個模式；FW1/e2=全寬1/e2

 

絕對最大額定參數

參數

最大值

單位

備注

連續工作電流

8

mA

3

連續反向電壓

8

V


PCB焊料或回流溫度

260

°C

最多10秒

 

封裝尺寸：芯片尺寸

參數

最小

典型

最大

備注

芯片寬度

135

155

175

µm

芯片長度

135

155

175

µm

芯片厚度

135

150

165

µm

 


 


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